IRF7853PBF - Infineon Technologies

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Kynix Teil #: KY13-IRF7853PBF
Hersteller Teil #: IRF7853PBF
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.5W Ta
Turn Off Delay Time  
26 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.9V @ 100μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
HEXFET®
Published  
2006
Part Status  
Discontinued
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
18MOhm
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
2.5W
Turn On Delay Time  
13 ns
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
18m Ω @ 8.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
39nC @ 10V
Rise Time  
6.6ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
6 ns
Continuous Drain Current (ID)  
8.3A
Threshold Voltage  
4.9V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Dual Supply Voltage  
100V
Recovery Time  
68 ns
Nominal Vgs  
4.9 V
Height  
1.4986mm
Length  
4.9784mm
Width  
3.9878mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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